سامسونگ تولید نسخه اختصاصی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ گلکسی را آغاز کرد | قدرت در دستان کره‌ای‌ها

تولید نسخه گلکسی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ توسط سامسونگ؛ بازگشت قدرتمند تراشه‌ساز کره‌ای به میدان رقابت

در دنیای سرعت و نوآوری، هیچ چیز مهم‌تر از تراشه‌ای نیست که قلب تپنده‌ی دستگاه‌های هوشمند را تشکیل می‌دهد. پس از سال‌ها رقابت نزدیک بین شرکت‌های کوالکام، سامسونگ و TSMC، اکنون خبر می‌رسد که سامسونگ بار دیگر در مسیر تولید نسخه‌ای انحصاری از تراشه‌ی جدید کوالکام قرار گرفته است؛ تراشه‌ای که با نام اسنپدراگون ۸ نسل ۵ برای گلکسی شناخته می‌شود و می‌تواند مسیر آینده‌ی صنعت نیمه‌هادی را دگرگون سازد.

آغاز یک همکاری تازه بین کوالکام و سامسونگ

بر اساس گزارش‌های منتشرشده از رسانه‌های کره‌ای، کوالکام و سامسونگ دست به یک تغییر استراتژیک بزرگ زده‌اند. این همکاری، در واقع بازگشتی به رابطه‌ی قبلی این دو شرکت است که پیش‌تر به دلیل مشکلات عملکردی تراشه‌های ساخته‌شده توسط Samsung Foundry متوقف شده بود. حال به نظر می‌رسد سامسونگ توانسته با ارتقای تکنولوژی تولید خود، نظر کوالکام را دوباره جلب کند.

در گذشته، کوالکام در تولید تراشه‌ی اسنپدراگون ۸ نسل ۱ با سامسونگ همکاری داشت. اما نتایج ناامیدکننده در زمینه‌ی بازده انرژی و گرمای بالای آن موجب شد این شرکت، تولیدات بعدی خود را به دست رقیب تایوانی‌اش، یعنی TSMC بسپارد. از آن زمان تا عرضه‌ی اسنپدراگون ۸ پلاس نسل ۱ و نسل‌های بعد، تمام تراشه‌های پرچمدار کوالکام توسط TSMC تولید شدند.

چرا سامسونگ دوباره وارد میدان شده است؟

تحلیلگران اعتقاد دارند که سامسونگ پس از چند سال سرمایه‌گذاری سنگین در بخش نیمه‌هادی، توانسته مشکلات تولید در لیتوگرافی‌های پیشین خود را برطرف کند. فناوری جدید GAA 2 نانومتری این شرکت، یکی از پیچیده‌ترین و پیشرفته‌ترین فرایندهای تولید تراشه در جهان است و به سامسونگ اجازه می‌دهد تا هم عملکرد و هم بهره‌وری انرژی را تا سطحی بی‌سابقه ارتقا دهد. این پیشرفت‌ها موجب شده‌اند که کوالکام بار دیگر برای تولید نسخه‌ی ویژه‌ی چیپست خود به سراغ سامسونگ برود.

بر اساس اطلاعات موجود، نسخه‌ی «برای گلکسی» تراشه‌ی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ نه فقط یک مدل اورکلاک‌شده از نسخه‌ی اصلی، بلکه دارای تفاوت‌هایی بنیادین در طراحی و معماری خواهد بود. در واقع این نسخه، بر پایه‌ی لیتوگرافی ۲ نانومتری سامسونگ ساخته می‌شود، در حالی که مدل استاندارد توسط TSMC و با لیتوگرافی ۳ نانومتری تولید می‌گردد. چنین تفاوتی می‌تواند موجب جهشی بزرگ در زمینه‌ی مصرف انرژی، مدیریت حرارت و قدرت پردازش شود.

فرآیند تولید ۲ نانومتری با هدف دستیابی به چگالی ترانزیستور بالاتر از نسل‌های قبلی طراحی شده است. اگر \(N\) تعداد ترانزیستور در یک مساحت مشخص باشد، در نسل‌های پیشین، رابطه به صورت تقریبی \(N \propto 1/L^2\) (که \(L\) طول ویژگی است) در نظر گرفته می‌شد. اما در فناوری‌های پیشرفته، این رابطه پیچیده‌تر شده و به چگالی گیت‌ها (Gate Density) مربوط می‌شود.

انتظار می‌رود که با استفاده از گیت‌های GAA در نانومتر ۲، تراکم ترانزیستورها نسبت به نسل‌های ۳ نانومتری، حداقل ۳۰٪ افزایش یابد، که این امر مستقیماً به کاهش مساحت دای (Die Area) و کاهش خازن‌های پارازیتی منجر می‌شود.

اهمیت این اتفاق برای بازار تراشه‌ها

بازار تراشه‌های موبایل در سال‌های اخیر شاهد رقابت شدید بین چند بازیگر اصلی بوده است: TSMC به عنوان پیشتاز بلامنازع، سامسونگ با تلاش برای بازپس‌گیری اعتبار خود، و اینترل و اپل که هر یک در مسیرهای خاص خود حرکت می‌کنند. ورود دوباره‌ی سامسونگ به همکاری با کوالکام، پیامدهای گسترده‌ای برای این رقابت خواهد داشت.

اگر سامسونگ بتواند نسخه‌ی گلکسی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ را با موفقیت و در حجم انبوه تولید کند، این اتفاق نه‌تنها به بازسازی اعتماد کوالکام به Samsung Foundry کمک می‌کند، بلکه موقعیت TSMC را نیز در بازار جهانی تراشه‌های موبایل به چالش خواهد کشید.

در صورت موفقیت، این قرارداد می‌تواند قراردادهای بزرگ دیگری را نیز برای سامسونگ به ارمغان آورد، زیرا شرکت‌های بزرگ مانند شیائومی، اوپو و ویوو که همواره به دنبال گزینه‌های جایگزین برای TSMC بوده‌اند، بار دیگر به سامسونگ به عنوان یک تولیدکننده‌ی قابل اعتماد نگاه خواهند کرد.

فناوری ۲ نانومتری GAA چیست؟

فناوری Gate-All-Around (GAA) که سامسونگ در تراشه‌ی جدید خود استفاده می‌کند، نوعی معماری پیشرفته‌تر نسبت به FinFET است. در این فناوری، تمام جهات ترانزیستور توسط گیت‌ها احاطه شده‌اند که کنترل دقیق‌تری بر جریان الکتریکی فراهم می‌کند. نتیجه‌ی این طراحی، عملکرد سریع‌تر و مصرف انرژی کمتر است.

معماری FinFET جریان الکتریکی را از سه جهت (بالا، چپ و راست) کنترل می‌کرد، اما در GAA، با استفاده از نانوسیف‌های (Nanosheets) افقی یا کانال‌های نانوسیمی (Nanowires)، کنترل کامل چهار طرفه (Full Gate Control) فراهم می‌شود. این امر منجر به کاهش نشت جریان (Leakage Current) می‌شود که عامل اصلی اتلاف انرژی در تراشه‌های قدیمی‌تر است.

رابطه‌ی تقریبی برای جریان ترانزیستور در مدل‌های نوین به صورت زیر می‌تواند بیان شود، جایی که کنترل بهتر بر ولتاژ آستانه (\(V_{th}\)) توسط GAA امکان‌پذیر است:

\[ I_{DS} \propto \frac{W}{L} \cdot (V_{GS} – V_{th})^\alpha \]

که در آن \(W\) عرض کانال و \(L\) طول کانال است. کنترل دقیق‌تر بر \(V_{th}\) بدون افزایش ولتاژ کاری (\(V_{DD}\)) به طور مستقیم بهره‌وری انرژی را بهبود می‌بخشد.

در لیتوگرافی ۲ نانومتری، سامسونگ توانسته تراکم ترانزیستورها را به طور چشمگیر افزایش دهد و در نتیجه، فضای فیزیکی تراشه را کوچکتر و بهره‌وری حرارتی آن را بهتر کند. این نقاط قوت باعث می‌شوند که نسخه‌ی گلکسی تراشه، نه‌تنها از نظر سرعت بلکه از نظر دوام و پایداری نیز برتری داشته باشد.

تأثیر این تراشه بر محصولات آینده‌ی سامسونگ

در گزارش اخیر، اشاره شده که این تراشه‌ی اختصاصی به‌طور مستقیم در سری گلکسی S26 مورد استفاده قرار نخواهد گرفت. این نکته برای بسیاری از علاقه‌مندان به گوشی‌های پرچمدار سامسونگ، غیرمنتظره بود. در عوض، برنامه‌ریزی سامسونگ به گونه‌ای است که تراشه‌ی جدید را در نسل آینده‌ی گوشی‌های تاشو خود، یعنی سری Galaxy Z Fold و Z Flip در تابستان ۲۰۲۶ استفاده کند.

این تصمیم هوشمندانه است، زیرا سامسونگ می‌خواهد نوآوری‌ها و فناوری‌های جدید خود را در دسته‌ای از محصولات به نمایش بگذارد که همواره نماد پیشرفت و جسارت در طراحی بوده‌اند. گوشی‌های تاشو به دلیل نیاز به تراشه‌هایی با مدیریت حرارت بهینه (به دلیل طراحی فشرده) و قدرت پردازشی بالا، بهترین کاندیدا برای نمایش قابلیت‌های تراشه‌ی ۲ نانومتری هستند.

از سوی دیگر، سری گلکسی S همچنان با تراشه‌ی اگزینوس ۲۶۰۰ عرضه می‌شود تا سامسونگ به توسعه‌ی اکوسیستم داخلی خود ادامه دهد. این استراتژی به سامسونگ اجازه می‌دهد تا پلتفرم اختصاصی خود را تقویت کرده و شکاف عملکردی بین تراشه‌های اگزینوس و کوالکام را در مدل‌های استاندارد کمتر کند، در حالی که بهترین عملکرد ممکن (نسخه‌ی گلکسی) را برای مدل‌های پرچم‌دار تاشو حفظ می‌کند.

مزیت استفاده از دو خط تراشه در پرچمداران سامسونگ

این رویکرد دوگانه، یعنی استفاده هم‌زمان از چیپست‌های کوالکام و اگزینوس، یکی از استراتژی‌های منحصر به فرد سامسونگ است. به کمک این روش، سامسونگ می‌تواند وابستگی کامل به تأمین‌کنندگان خارجی را کاهش دهد و در عین حال، انعطاف‌پذیری بالایی در طراحی و عرضه‌ی محصولات خود حفظ کند.

در حالی که برخی کاربران ترجیح می‌دهند نسخه‌های مجهز به تراشه‌ی کوالکام را خریداری کنند، سامسونگ با بهبود عملکرد چیپ‌های اگزینوس سعی دارد این فاصله را کم کند و در نهایت، تجربه‌ای یکپارچه و قدرتمند را ارائه دهد. این تنوع به سامسونگ کمک می‌کند تا در برابر نوسانات زنجیره‌ی تأمین و قیمت‌گذاری جهانی تراشه‌ها مقاومت بیشتری از خود نشان دهد.

از نظر معماری، تراشه‌ی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ برای گلکسی ممکن است دارای تعداد هسته‌های پردازشی بیشتر یا هسته‌های سفارشی‌سازی‌شده‌ای باشد که توسط مهندسان کوالکام و سامسونگ طراحی شده‌اند، که این امر فراتر از صرفاً تغییر فرآیند تولید است.

آیا موفقیت این تراشه ممکن است اعتبار سامسونگ را بازگرداند؟

بسیاری از تحلیلگران بازار نیمه‌هادی بر این باورند که اگر سامسونگ بتواند فرآیند تولید انبوه تراشه‌ی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ را بدون مشکل انجام دهد، این موفقیت نقطه‌ی عطفی در تاریخ بخش تراشه‌سازی این شرکت خواهد بود. زیرا در سال‌های گذشته، مشکلات فنی و عملکردی در تراشه‌های تولید شده توسط Samsung Foundry باعث افت اعتبار جهانی آن شده بود.

موفقیت پروژه‌ی جدید، نه‌تنها جایگاه سامسونگ را در برابر TSMC تقویت می‌کند بلکه به افزایش اعتماد سازندگان دیگر مانند گوگل، شیائومی و اوپو برای همکاری‌های آینده با سامسونگ کمک خواهد کرد.

باید توجه داشت که تولیدکنندگان تراشه اغلب بر اساس پارامترهایی مانند بازده تولید (Yield Rate)، عملکرد در ولتاژهای مختلف (Voltage Scaling) و قابلیت اطمینان طولانی‌مدت (Long-term Reliability) مورد قضاوت قرار می‌گیرند. اگر نرخ بازده تولید (مثلاً بالای ۸۵٪) در مقیاس گیگاوات (Gigawatt Scale) حفظ شود، این نشان‌دهنده‌ی پختگی کامل فرآیند ۲ نانومتری GAA خواهد بود.

دیدگاه کوالکام نسبت به همکاری تازه

در بیانیه‌ی اخیر کوالکام اشاره شد که نسخه‌ی ویژه‌ی تراشه‌ی اسنپدراگون برای گوشی‌های گلکسی در راه است. هرچند در آن بیانیه، جزئیات دقیق در مورد فرآیند تولید یا لیتوگرافی به‌کاررفته ذکر نشده بود، اما همین اشاره کافی بود تا بازار فناوری را با موجی از گمانه‌زنی روبه‌رو کند. اکنون با انتشار گزارش‌های کره‌ای، این فرضیه تقویت شده که تراشه جدید واقعاً توسط سامسونگ ساخته خواهد شد.

کوالکام معمولاً در انتخاب تأمین‌کنندگان خود بسیار محتاط است. بنابراین، تصمیم برای سپردن تولید این نسخه منحصر به فرد به Samsung Foundry نشان از اعتماد بالا و برنامه‌ای دقیق برای آینده دارد. این اعتماد احتمالاً ناشی از نتایج آزمایش‌های اولیه (Engineering Samples) است که برتری‌های فنی لیتوگرافی ۲ نانومتری سامسونگ را در مقایسه با لیتوگرافی ۳ نانومتری رقیب تأیید کرده است.

چالش‌های فنی پیش روی Samsung Foundry

با وجود تمام امیدها، نباید از چالش‌های بزرگ پیش روی سامسونگ غافل شد. تولید تراشه در لیتوگرافی ۲ نانومتری GAA نیازمند تجهیزات فوق پیشرفته، دقت بالای فرایند و هزینه‌های هنگفت است. کوچکترین نقص در طراحی یا کنترل حرارتی می‌تواند منجر به کاهش راندمان کلی یا مشکلات پایداری شود. با این حال، گزارش‌ها نشان می‌دهند سامسونگ در دو سال گذشته سرمایه‌گذاری‌های میلیاردی برای توسعه خطوط تولید و ارتقای زیرساخت‌های خود انجام داده است.

یکی از بزرگترین چالش‌های فنی، مدیریت پدیده‌ی باربری (Variability) در ترانزیستورهای بسیار کوچک است. در فناوری GAA، طراحی دقیق کانال‌ها و کنترل بر شکل آنها اهمیت حیاتی دارد. هر گونه عدم یکنواختی در ضخامت نانوسیف‌ها می‌تواند باعث تغییرات بزرگ در ولتاژ آستانه (\(V_{th}\)) بین تراشه‌های مختلف شده و بازده تولید را کاهش دهد.

همچنین، انتقال داده‌ها با سرعت بالا نیازمند طراحی پیشرفته‌ای در لایه‌های فلزی (Metal Interconnects) است. با کوچک شدن ترانزیستورها، مقاومت و ظرفیت خازنی اتصالات فلزی اهمیت بیشتری پیدا می‌کند، و سامسونگ باید مطمئن شود که این اثرات منفی، مزایای حاصل از کوچک‌سازی ترانزیستورها را خنثی نکند.

رقابت با TSMC در نسل بعدی تراشه‌ها

TSMC اخیراً اعلام کرده که برنامه‌ریزی برای تولید تراشه‌های ۲ نانومتری خود (که احتمالاً با نام N2 شناخته می‌شود و مبتنی بر معماری بهبود یافته‌ی Gate-All-Around یا نسخه‌ی بهبود یافته‌ی FinFET خواهد بود) را آغاز کرده و از سال ۲۰۲۶ وارد فاز تجاری می‌شود. بنابراین، موفقیت سامسونگ در عرضه‌ی نسخه‌ی گلکسی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ می‌تواند حتی پیش از شروع تولید انبوه TSMC، مزیت زمانی قابل‌توجهی برای کره‌ای‌ها فراهم کند.

این مزیت زمانی به سامسونگ اجازه می‌دهد تا یک سال زودتر از رقیب اصلی خود، تراشه‌هایی با فناوری پیشرو را به بازار عرضه کند، هرچند که این تراشه فعلاً انحصاری برای کوالکام/سامسونگ خواهد بود.

در صورتی که سامسونگ بتواند از فناوری GAA خود به‌طور کامل بهره‌برداری کند، احتمال دارد که تراشه‌ی آن نه‌تنها از نظر عملکرد بلکه از لحاظ کارایی انرژی نیز از نسخه‌ی تایوانی پیشی بگیرد. اگر مصرف انرژی در بار یکسان، به طور مثال ۱۰٪ کمتر از رقیب باشد، این یک اهرم فروش بسیار قوی خواهد بود.

تأثیر بر قیمت و بازار مصرف‌کننده

ورود تراشه‌ی جدید ممکن است بر قیمت گوشی‌های آینده نیز اثرگذار باشد. از آنجا که فناوری ۲ نانومتری هزینه‌ی تولید بالاتری دارد (به دلیل نیاز به لیتوگرافی پیشرفته‌تر EUV و مراحل ساخت پیچیده‌تر)، انتظار می‌رود گوشی‌های مجهز به این تراشه در رده‌ی قیمتی بالاتری قرار گیرند. هزینه‌ی ساخت یک دای (Cost per Die) در فناوری ۲ نانومتری به طور قابل توجهی بالاتر از فناوری‌های فعلی است.

با این حال، افزایش راندمان انرژی و عملکرد بهتر، ارزش خریداران را توجیه می‌کند؛ به ویژه برای کسانی که به دنبال تجربه‌ی حرفه‌ای در اجرای بازی‌ها و پردازش‌های سنگین هستند. این تراشه به احتمال زیاد شامل هسته‌های پردازش مرکزی (CPU) سریع‌تر، پردازشگر گرافیکی (GPU) با توان بالاتر و موتورهای هوش مصنوعی (NPU) پیشرفته‌تری خواهد بود.

نمای کلی آینده‌ی صنعت تراشه

هم‌اکنون، رقابت برای دستیابی به لیتوگرافی‌های زیر ۳ نانومتر داغ‌تر از همیشه است. سامسونگ، TSMC، اپل و اینتل همگی در تلاش‌اند تا اولین شرکت‌هایی باشند که فناوری‌های جدیدی مانند GAA، نانوشیت و حتی لیتوگرافی اتمی را به مرحله‌ی تولید تجاری برسانند. این رقابت نه‌تنها آینده‌ی تلفن‌های هوشمند بلکه رایانه‌های شخصی، خودروهای هوشمند و دستگاه‌های پوشیدنی را شکل خواهد داد.

دستیابی به این فناوری‌ها مستلزم سرمایه‌گذاری‌های هنگفت در بخش تحقیق و توسعه و همچنین خرید و نصب ماشین‌آلات لیتوگرافی فوق پیشرفته (مانند ASML’s High-NA EUV) است. این سرمایه‌گذاری‌ها مرز ورود به بازار را برای بازیگران جدید بسیار بالا می‌برد.

جمع‌بندی

بازگشت سامسونگ به همکاری مستقیم با کوالکام برای تولید نسخه‌ی گلکسی اسنپدراگون ۸ نسل ۵، یکی از مهم‌ترین تحولات صنعت فناوری در سال‌های اخیر محسوب می‌شود. این پروژه نه‌تنها به سامسونگ فرصت بازسازی اعتبار خود در زمینه‌ی نیمه‌هادی را می‌دهد، بلکه آغاز فصل جدیدی در رقابت جهانی برای طراحی و ساخت تراشه‌های فوق پیشرفته خواهد بود.

در حالی که هنوز جزئیات نهایی در مورد تاریخ عرضه و عملکرد عملی این تراشه فاش نشده، بدون شک نگاه بسیاری از تحلیلگران و کاربران به عملکرد واقعی آن در گوشی‌های تاشوی سامسونگ در سال 2026 دوخته شده است. اگر این تراشه بتواند انتظارات را برآورده کند، سامسونگ بار دیگر به عنوان یکی از ستون‌های اصلی این صنعت در کنار TSMC و اپل مطرح خواهد شد.

سوالات متداول

آیا نسخه‌ی اسنپدراگون ۸ نسل ۵ مخصوص گلکسی با مدل استاندارد تفاوت دارد؟

بله، این نسخه بر اساس لیتوگرافی ۲ نانومتری GAA سامسونگ ساخته می‌شود و در زمینه‌ی مصرف انرژی و عملکرد، تفاوت محسوسی با مدل استاندارد دارد که توسط TSMC تولید خواهد شد و احتمالاً از لیتوگرافی ۳ نانومتری استفاده می‌کند.

آیا این تراشه در سری گلکسی S26 استفاده خواهد شد؟

خیر، طبق گزارش‌های جدید، تراشه‌ی ویژه‌ی گلکسی ابتدا در گوشی‌های تاشوی سامسونگ در تابستان ۲۰۲۶ به کار می‌رود و سری S26 احتمالاً از تراشه‌ی اگزینوس ۲۶۰۰ بهره خواهد برد.

فناوری GAA چیست و چرا مهم است؟

GAA یا Gate-All-Around نوعی معماری نوین برای ساخت ترانزیستورهاست که باعث می‌شود گیت‌ها کانال جریان را از هر چهار طرف احاطه کنند. این امر منجر به کنترل دقیق‌تر بر جریان الکتریکی، کاهش نشت جریان و در نتیجه، کاهش مصرف انرژی و افزایش سرعت می‌شود. این فناوری گام مهمی در مسیر کوچک‌سازی تراشه‌ها و افزایش بهره‌وری آنها محسوب می‌گردد.

آیا همکاری جدید سامسونگ و کوالکام می‌تواند جایگاه TSMC را تهدید کند؟

در صورت موفقیت در تولید انبوه و عملکرد بهتر نسخه‌ی گلکسی که از فناوری پیشرفته‌تری (۲ نانومتری در مقابل ۳ نانومتری احتمالی رقیب) بهره می‌برد، سامسونگ می‌تواند سهم بیشتری از بازار تراشه‌های پرچمدار را از TSMC پس بگیرد و رقابت را به سطح جدیدی برساند.

چه زمانی انتظار می‌رود تراشه‌ی جدید معرفی یا عرضه شود؟

بر اساس گمانه‌زنی‌ها، معرفی رسمی تراشه‌ی ویژه‌ی گلکسی در نیمه‌ی اول سال ۲۰۲۶ صورت خواهد گرفت و نخستین دستگاه مجهز به آن، گوشی‌های تاشوی سری Galaxy Z در تابستان همان سال خواهند بود.